存储芯片 ETF DRAM 期权 — 最大痛点、Gamma 敞口(GEX)与关键价位

存储芯片 ETF DRAM 期权(2026-10-16 到期):最大痛点 $58.5,Gamma 翻转点 $57.33,Call Wall $60,Put Wall $55,净 GEX -819.8K(负 Gamma),隐含波动幅度 ±4.68%。免费期权链分析,含 GEX、希腊字母与未平仓量,每几分钟更新。

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存储芯片 ETF DRAM 期权关键价位 — 2026-10-16 到期

截至 2026-10-12 01:06 ET,存储芯片 ETF DRAM 2026-10-16 到期的期权最大痛点为 $58.5,现价 $57.16,Gamma 翻转点 $57.33,做市商处于负 Gamma 环境(净 GEX -819.8K),期权隐含到期前波动 ±4.68%。

现价$57.16
最大痛点(Max Pain)$58.5
Gamma 翻转点$57.33
Call Wall$60 (22,938 未平仓)
Put Wall$55 (25,471 未平仓)
净 Gamma 敞口(GEX)-819.8K — 负 Gamma
隐含波动幅度±4.68% (±$2.67)
平值隐含波动率42.3%
Put/Call 未平仓比0.66
Call / Put 未平仓量266,038 / 176,045
Call / Put 成交量22,870 / 15,156

DRAM 今天的期权最大痛点是多少?

2026-10-16 到期的最大痛点是 $58.5,比现价 $57.16 高 2.3%。

DRAM 的 Gamma 敞口(GEX)是多少?

净 GEX 为 -819.8K(负 Gamma),Gamma 翻转点在 $57.33。

DRAM 的 Call Wall 和 Put Wall 在哪里?

Call Wall $60(阻力),Put Wall $55(支撑)。

DRAM 做市商持仓解读

  • 负 Gamma 环境 — 做市商持有负 Gamma — 他们在下跌时卖出、上涨时买入,放大波动。趋势跟踪策略更有利,预计将出现较大方向性波动。
  • 低 Put/Call OI 比率 (0.66) — Call 未平仓合约占主导,表明看涨持仓。做市商可能做空 Call,形成上行推力。
  • 最大痛点 @ $58.5 — 现价在 Max Pain 下方 2.3%,随着到期日临近引力效应可能增强。
  • 支撑 $55.0 / 阻力 $60.0 — Put Wall $55.0 作为支撑位。Call Wall $60.0 作为阻力位。OI 集中在这些水平形成做市商对冲流。
  • 预期波动:±4.68% ($2.67) — ATM Straddle 中间价暗示到期前波动 ±4.68%。范围:$54.49 — $59.84

DRAM 未平仓量最大的行权价

看涨:$122 (51,044)、$70 (37,937)、$75 (31,521)、$60 (22,938)、$80 (17,143)。 看跌:$35 (32,353)、$55 (25,471)、$50 (20,200)、$40 (16,666)、$45 (8,697)。

DRAM 之后的到期日:2026-10-19、2026-10-21、2026-10-23、2026-10-30、2026-11-06、2026-11-13、2026-11-20、2026-11-27。

最大痛点是到期时让期权买方整体损失最大的行权价。Gamma 敞口(GEX)衡量股价变动时做市商需要对冲的规模:正 Gamma 往往抑制波动,负 Gamma 往往放大波动;Gamma 翻转点是净 GEX 由正转负(或反之)的价格。Call Wall / Put Wall 是看涨 / 看跌 Gamma 敞口最集中的行权价,常被视为阻力 / 支撑。 计算方法

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